松下PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器) 功率1b.pdf
松下PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器) 功率1bpdf,特点：SIL 4脚型的窄长形状；负载电压: 400V；可配置4点单元输出光电耦合器、功率PhotoMOS型；输出构成：1b。
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