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松下PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器) 功率1b.pdf

上传者: 2020-07-17 06:23:09上传 PDF文件 530.29KB 热度 22次
松下PhotoMOS(MOSFET输出光电耦合器) 功率1bpdf,特点:SIL 4脚型的窄长形状;负载电压: 400V;可配置4点单元输出光电耦合器、功率PhotoMOS型;输出构成:1b。
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