超流体He 4中的亚GeV暗物质:一种有效的理论方法

我们采用有效场论研究了次GeV暗物质与超流体$$ ^ 4 $$ 4 He的无隙激发的相互作用。 在量子场论语言中，暗物质与超流体声子之间可能的相互作用仅由对称性决定。 我们计算了一个和两个声子的发射速率，并表明这两个可观测值的组合为暗物质质量提供了一个较大的排斥区域。 我们的方法允许直接计算微分分布，即使它仅限于声子激发较软的区域，在该区域中定义了有效的场论。 这里介绍的方法很容易扩展到暗物质的不同模型。