具有局部暗规对称性的衰变费米子DM产生的AMS02正电子过量
PAMELA,Fermi和AMS02观察到的正电子过量可能是由于暗物质(DM)对an灭或主要衰变成μ子所致。 在本文中,我们考虑了一个热铁离子DM(χ)的情形,质量为OO(122)TeV衰减为一个黑希格斯(Ï•)和一个活跃的中微子(βa)而不是SM希格斯 玻色子和½a。 我们首先针对局部暗U(1)X规范对称性提出一种针对这种情况的可重整化模型,其中DMχ可以通过希格斯门户和规范动力学混合进行热化。 假设暗希格斯(Ï•)质量在2m¼<mÏ•<2mÏ0的范围内,如果使用正确的背景模型,则可以拟合正电子过量,而不会与反质子和伽马射线通量的约束或直接检测产生冲突 实验。 同样,具有如此
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