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Cu2O/TiO2纳米阵列异质结的制备及其光电化学性能研究

上传者: 2020-07-16 22:15:32上传 PDF文件 1.22MB 热度 22次
Cu2O/TiO2纳米阵列异质结的制备及其光电化学性能研究,沈天阔,王岩,Cu2O是一种p型半导体,其禁带为2.17eV,是一种优良的光催化剂,本文在阳极氧化法制备的TiO2纳米管阵列基础上,运用恒电压电沉积的方法
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