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论文研究 Zn替代对纳米多铁GaFeO的磁和磁电容性能的影响

上传者: 2020-07-16 20:06:36上传 PDF文件 1.15MB 热度 26次
本文旨在研究通过溶胶-凝胶制备方法并用非磁性Zn原子替代纳米尺寸GaFeO3陶瓷时,多铁阶和磁电容效应接近/高于室温的可能性。 因此,在这项工作中,我们合成了一系列纳米晶Ga1-xZnxFeO3(GZFO,x = 0、0.01、0.05和0.1)陶瓷样品,并研究了Zn替代对其结构,磁性和电性能的影响。 所有的GZFO样品都具有Pc21n空间群的正交结构,并且随着Zn浓度的增加,晶格参数的值会系统地增加。 有趣的是,它表明磁性和电学性质强烈取决于Zn的取代浓度。 根据随温度变化的磁化强度M(T)的结果,观察到随着Zn含量增加到0.10,亚铁磁性转变温度(TC)从306增加到320K。还发现纳米晶
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