SU(3)规范理论中T c附近的拓扑磁化率

使用各向异性晶格研究了纯规范SU（3）理论在有限温度下的拓扑电荷敏感性ibility‡t。 过度改进的粗链接平滑方法用于计算拓扑电荷。 在相变点附近，我们发现随着温度从零温度升高到1.9Tc，χt迅速下降，其值从（188（1）MeV）4降低到（67（3）MeV）4 远高于Tc的拓扑激励的存在。 还研究了拓扑电荷的四阶累积量c4以及比率c4 /χt。 c4的结果显示出接近Tc的阶梯状行为，而高温下的比率与稀释的瞬时气体模型所预测的值一致。