高自旋Sn异构体的奇数张量电跃迁和广义资历

人们已经理解，Sn同位素中最近观察到的13-奇数张量E 1异构体的B（E1）值与10+和15-偶数张量E 2异构体的B（E2）值具有相似的行为。 使用准自旋方案对多j轨道的广义资历。 事实证明，这种简单的方法非常成功地解释了半磁性Sn同位素的高自旋异构体中测得的跃迁几率和相应的半衰期。 因此，我们首次展示了13- Sn异构体中的资历异构体的出现，该衰变因奇数张量E 1跃迁而转变为相同的资历状态。