高阶QED对电子异常磁矩贡献的数值计算

本文介绍了一种通过数值方法评估高阶QED对电子异常磁矩的贡献的方法。 该方法基于积分前费恩参数空间中红外和紫外线发散的减法以及基于Hepp扇区的非自适应蒙特卡洛积分。 描述了该方法在图形加速器NVidia Tesla K80上的实现。 提出了一种在不损失计算速度的情况下消除由于发散的数值减法而出现的舍入误差的方法。 给出了将该方法应用于所有没有轻子环的2环，3环和4环QED Feynman图的结果。 本文给出了2回路和3回路结果与已知分析结果的详细比较。 提出了六个规范不变的四环图类与已知分析值的贡献的比较。 此外，提出了78套4回路图的贡献，以与直接减去法在质量壳上进行比较。 此外，还给出了