功率变换器中Power MOSFET功率损耗的数学分析及计算

为改善中、低压电力电子设备中开关器件的性能,给出了一种功率变换器的Power MOS-FET开关电路模型。其Power MOSFET的功率损耗主要由导通损耗和开关损耗构成,由此推导了功率变换器主电路中Power MOSFET的损耗计算公式,并根据实验波形的计算,得到Power MOS-FET的功率损耗。得到的计算结果表明:当开关频率较大时,开关损耗是Power MOSFET功率损耗的主要部分。