在e + e−对撞机上寻找新的测光玻色子

作为解释各种实验异常的可能中介者，超出标准模型的中性规子玻色子正变得很有趣。 它们的质量很小，低于1 GeV，被称为暗光子，U，A'或Z'玻色子。 B工厂的电子-正电子碰撞实验提供了探测这种玻色子的最直接方法。 在本文中，我们研究了在GeV质量中心运行的e + e-碰撞机上玻色子的产生。 我们研究了两个通道：e + e-→γZ'和e + e-→e + e-Z'。 得出了截面的解析表达式和各种可观察到的结果，例如产生的玻色子的能谱和Z'衰变的最终电子。 我们还研究了玻色子的横向动量分布和Z'→e + e-衰减顶点的空间分布。 结果表明，这些分布提供了玻色子在e + e-→γZ'中的独特特征。