费米GeVγ射线过量的暗希格斯通道

Dark Higgs在暗物质模型中非常通用，其中DM通过某些自发破坏的暗规对称性得以稳定。 由银河系中心（GC）的暂定GeV尺度γ射线过量激发，我们研究了一种情形，其中一对暗物质X an灭为一对黑暗希格斯H2，随后通过与SM希格斯混合而衰减为标准模型粒子 玻色子。 除了H2的两体衰变，我们还包括黑暗希格斯的多体衰变通道。 我们发现最合适的点是大约MX≥95.0 GeV，MH2≥86.7 GeV，Δv≥4.0×10×26cm3 / s并给出p值≥0.40。 在具有暗规对称性的暗物质模型的上下文中描述了此结果的含义。 由于这样的希格斯玻色子很暗，很难在对撞机上产生，因此对宇宙γ射线的间接DM探测