28nm UTBB FDSOI与22nm TriGate FinFET的综述:设计指南第二部分

这是一个由两部分组成的论文的第二部分，该论文探讨了28纳米UTBBFD-SOICMOS和22纳米Tri-GateFinFET技术，作为大体积晶体管的更好替代方案，尤其是当晶体管的结构将要完全耗尽且其尺寸缩小时正在变得更小，28纳米及以上。首先讨论这些替代方案的可靠性测试。然后，在两个替代晶体管之间进行比较，比较它们的物理特性，电气特性以及它们在不同应用中的偏好。