EEPROM与FLASH区别

EEPROM,EPROM,FLASH都是基于一种浮栅管单元(Floatinggatetransister)的结构。 EPROM的浮栅处于绝缘的二氧化硅层中，充入的电子只能用紫外线的能量来激出，EEPROM 的单元是由FLOTOX(Floating-gatetunelingoxidetransister)及一个附加的 Transister组成，由于FLOTOX的特性及两管结构，所以可以单元读/写。