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Bi2Te3/Bi2Se3拓扑绝缘体的点缺陷研究

上传者: 2020-05-15 20:05:11上传 PDF文件 571.68KB 热度 28次
Bi2Te3/Bi2Se3拓扑绝缘体的点缺陷研究,姜颖,王勇,通过分子束外延(MBE)方法制备出Sb/Cr掺杂的Bi2Te3以及Fe掺杂的Bi2Se3材料。联合利用电子背散射衍射(EBSD)仪及聚焦离子束(FIB)加工仪�
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