对类矢量门脉暗物质的辐射校正

大量的纯标量暗物质粒子S可以通过类矢量费米离子介体ψ耦合到标准模型轻子或夸克，这种情况称为类矢量门户。由于将suppression灭横截面的螺旋度抑制成一对标准模型费米子，以前的研究表明，无论是在一个回路还是通过规范玻色子的辐射，辐射校正都可能在确定遗迹丰度方面起重要作用并用于间接检测。以前的所有工作都考虑了无质量的最终夸克或轻子的极限。在这项工作中，我们关注一个技术问题，即在考虑有限的费米子质量的情况下可靠地确定an灭的横截面。继先前在简化的超对称暗物质场景框架下进行的工作之后，并以类似于希格斯衰变为费米子的模型为基础，我们通过采用有效的算符描述来解决困扰横截面的红外和共线发散问题