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论文研究不同源漏间距的AlN/GaN异质结场效应晶体管中极化库仑场散射的研究 .pdf

上传者: 2020-05-06 15:17:06上传 PDF文件 532.64KB 热度 16次
不同源漏间距的AlN/GaN异质结场效应晶体管中极化库仑场散射的研究,崔鹏,林炜,制作了两种源漏间距的AlN/GaN异质结场效应晶体管,通过电容-电压测试和电流-电压测试,研究发现极化库仑场散射对于二维电子气电子迁
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