减少单晶通道化过程中高能带正电粒子的多重散射

我们目前提供的实验观察表明，在单晶通道化过程中，高能带正电粒子的多重散射减少。根据我们的测量，在垂直于沟道平面的平面中，多次散射的均方根角小于在同一晶体中移动的非沟道粒子的均方根角的一半。在实验中，我们使用聚焦弯曲的单晶。这样的晶体在光束传播方向上具有可变的厚度。这使我们能够测量通道和非通道颗粒的均方根散射角与厚度的函数关系。非通道颗粒的厚度行为符合预期，而通道颗粒的行为则具有意料之外的特征。