arm9中文手册

特性 •融合了ARM920T™ARM®Thumb®处理器 –工作于180MHz时性能高达200MIPS，存储器管理单元 –16-K字节的数据缓存，16-K字节的指令缓存，写缓冲器 –含有调试信道的内部仿真器 –中等规模的嵌入式宏单元结构(仅针对256BGA封装) •低功耗：VDDCORE电流为30.4mA待机模式电流为3.1mA •附加的嵌入式存储器 –SRAM为16K；ROM为128K •外部总线接口(EBI) –支持SDRAM，静态存储器，BurstFlash，无缝连接的CompactFlash®， SmartMedi