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氢间隙杂质对CdTe材料电子结构的影响:第一性原理研究

上传者: 2020-04-22 11:21:17上传 PDF文件 748.72KB 热度 27次
氢间隙杂质对CdTe材料电子结构的影响:第一性原理研究,曲晓东,孙立忠,我们用基于平面波赝势的第一性原理方法,通过计算电子结构、电子局域函数和差分电荷,分析了不同形式的H间隙杂质对Ⅱ-Ⅵ族半导体�
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