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论文研究 aSiNx:H阻变存储器掺氧实现超低功耗 .pdf

上传者: 2020-04-01 03:53:02上传 PDF文件 1.77MB 热度 23次
a-SiNx:H阻变存储器掺氧实现超低功耗,张辉,谭定文,在等离子体增强化学气相淀积(PECVD)系统引入笑气(N2O)原位淀积制备出a-SiN0.69O0.53:H阻变薄膜,与没有掺氧的a-SiN0.62:H阻变存储器相比�
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