论文研究 aSiNx:H阻变存储器掺氧实现超低功耗 .pdf
a-SiNx:H阻变存储器掺氧实现超低功耗，张辉，谭定文，在等离子体增强化学气相淀积（PECVD）系统引入笑气（N2O）原位淀积制备出a-SiN0.69O0.53:H阻变薄膜，与没有掺氧的a-SiN0.62:H阻变存储器相比�
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