Influence of ion implantation on the effective Schottky barrier height of NiGe/n 上传者：weixin_78940 2020-03-28 13:52:52上传 PDF文件 597.21KB 热度 21次 离子注入对NiGe/n-Ge接触肖特基势垒高度的影响研究，李成，汤梦饶，在镍锗/n锗接触中用掺杂来调制有效肖特基势垒高度的方法仍然存在争议。本文实验证明离子损伤比界面钝化在注入硒和硅的镍锗/n锗接� 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 用户评论 发表评论 weixin_78940 资源：801 粉丝：0 +关注 上传资源 免责说明 本站只是提供一个交换下载平台，下载的内容为本站的会员网络搜集上传分享交流使用,有完整的也有可能只有一分部,相关内容的使用请自行研究,主要是提供下载学习交流使用,一般不免费提供其它各种相关服务! 本站内容泄及的知识面非常广,请自行学习掌握,尽量自已动脑动手解决问题,实践是提高本领的途径,下载内容不代表本站的观点或立场!如本站不慎侵犯你的权益请联系我们,我们将马上处理撤下所有相关内容！联系邮箱：server@dude6.com
