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GaAs中轻、重空穴对电子自旋相干动力学的影响

上传者: 2020-03-11 23:48:35上传 PDF文件 387.3KB 热度 23次
GaAs中轻、重空穴对电子自旋相干动力学的影响,滕利华,牟丽君,研究了9.6K低温下、本征GaAs高过超能量态电子自旋相干动力学的浓度依赖,发现当光子能量为1.57eV,载流子浓度较大时电子自旋相干量子�
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