论文研究Temperature Dependent model of Rise Time for TF SOI CMOS Inver ter with EM N

EMNMOSFET和AMPMOSFET组合的TFSOICMOS反相器上升时间在27-300℃的温度模型，张海鹏，汪沁，详细介绍了EMNMOSFET和AMPMOSFET组合的TFSOICMOS反相器上升时间在27-300℃的温度电学模型建立过程。分别进行了27℃、100℃、150℃、200℃、250