论文研究SRAM位单元内NMOS的静态漏电流优化 .pdf
SRAM位单元内NMOS的静态漏电流优化，阳功桥，何卫锋，本文基于40纳米低功耗工艺对NMOS的halo结构进行优化，实现了SRAM（staticrandomaccessmemory，静态随机存储器）位单元内NPG（NMOSpassgate，选��
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