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论文研究SRAM位单元内NMOS的静态漏电流优化 .pdf

上传者: 2020-03-03 13:26:31上传 PDF文件 479.79KB 热度 22次
SRAM位单元内NMOS的静态漏电流优化,阳功桥,何卫锋,本文基于40纳米低功耗工艺对NMOS的halo结构进行优化,实现了SRAM(staticrandomaccessmemory,静态随机存储器)位单元内NPG(NMOSpassgate,选��
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