ZnO/GaN异质结发光二极管的研究进展 上传者：YAO命的ID 2020-03-02 08:19:24上传 PDF文件 840.58KB 热度 41次 ZnO/GaN异质结发光二极管的研究进展，王颜彬，方铉，ZnO材料作为六方纤锌矿结构的直接带隙半导体材料，以其3.37eV的禁带宽度，60meV的室温激子束缚能而被广泛用于短波长的发光以及探测� 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 用户评论 发表评论
