论文研究 SAM型GaN基雪崩光电二极管研究进展 .pdf 上传者：Xieminsen 2020-02-18 20:02:13上传 PDF文件 736.28KB 热度 45次 SAM型GaN基雪崩光电二极管研究进展，陶睿杰，陈俊，由于GaN材料具有高禁带宽，抗辐射能力强，光响应度高的特点，近年来GaN基雪崩光电二极管（APDs）的发展日益迅速。首先对GaN材料的雪�� 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 用户评论 发表评论
