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论文研究 SAM型GaN基雪崩光电二极管研究进展 .pdf

上传者: 2020-02-18 20:02:13上传 PDF文件 736.28KB 热度 26次
SAM型GaN基雪崩光电二极管研究进展,陶睿杰,陈俊,由于GaN材料具有高禁带宽,抗辐射能力强,光响应度高的特点,近年来GaN基雪崩光电二极管(APDs)的发展日益迅速。首先对GaN材料的雪��
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