论文研究A simple wet electrochemical liftoff method of GaN epitaxial film with damag 上传者：CSDN阿坤 2020-01-24 08:30:19上传 UNKONW文件 402KB 热度 35次 用电化学刻蚀的方法来剥离GaN量子阱外延薄膜，刘后培，梁红伟，在无损伤的量子阱(MQWs)的情况下，通过侧向选择性电化学刻蚀的简易方法实现了从蓝宝石衬底上剥离氮化镓（GaN）外延。利用场发射扫描 下载地址 用户评论 更多下载 下载地址 立即下载 用户评论 发表评论
