论文研究Performance Improvement of Oxide ThinFilm Transistors by a TwoStepAnnealing
两步退火方法对氧化物薄膜晶体管性能的改善作用，李民，兰林锋，本文使用两步退火的方法制备了基于氧化铟锌半导体的薄膜晶体管。与普通的只有单步退火方法制备的相比，这种薄膜晶体管具有更好的
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