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大功率670nmGaInP/AlGaInP激光器有源区结构优化，林楠，林涛，基于量子阱厚度和波导层厚度，对大功率670nmGaInP/AlGaInP氧化条形激光器进行了详细地模拟研究。根据实验结果得到了模拟参数背景损耗��
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