论文研究A 3.4dB NF kband LNA in 65nm CNOS Technology.pdf
基于CMOS65nm工艺的k-band低噪声放大器设计，许建飞，闫娜，本论文提出了一种可以实现最低噪声系数的k波段（18-26.5GHz）LNA的设计方法。然后根据这种设计方法，在65nmCMOS混合信号工艺下设计了�
下载地址
用户评论
