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论文研究阴极短路SiGeC功率二极管击穿机理研究 .pdf

上传者: 2019-09-10 08:20:08上传 PDF文件 452.02KB 热度 17次
阴极短路SiGeC功率二极管击穿机理研究,刘静,,阴极短路结构对于改善二极管的反向恢复特性具有显著效果,但它的缺点是会牺牲器件的反向击穿电压,长期以来这一问题大大限制了阴
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