论文研究阴极短路SiGeC功率二极管击穿机理研究 .pdf
阴极短路SiGeC功率二极管击穿机理研究，刘静，，阴极短路结构对于改善二极管的反向恢复特性具有显著效果，但它的缺点是会牺牲器件的反向击穿电压，长期以来这一问题大大限制了阴
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