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论文研究高电源抑制比的CMOS亚阈值多输出电压基准 .pdf

上传者: 2019-09-09 08:24:16上传 PDF文件 446.77KB 热度 30次
高电源抑制比的CMOS亚阈值多输出电压基准,李泳佳,夏晓娟,本文基于工作在亚阈值区的MOS器件,运用CMOS电流模基准对CATA和PTAT电流求和的思想,提出一种具有低温漂系数、高电源抑制比的CMOS电压��
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