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半导体物理与器件第四版(尼曼) 答案 英文版(2).pdf

上传者: 2019-07-17 06:36:20上传 PDF文件 2.02MB 热度 311次
《半导体物理与器件》具体内容包括:半导体材料的基本性质、PN结机理与特性、双极型晶体管、MOS场效应晶体管、半导体器件制备技术、Ga在SiO(2)/Si结构下的开管掺杂共6章。每章后附有内容小结、思考题和习题。书后有附录,附录A是《半导体物理与器件》的主要符号表,附录B是常用物理常数表,附录c是锗、硅、砷化镓主要物理性质表,附录D是求扩散结杂质浓度梯度的图表和方法。对《半导体物理与器件》各章内容可以单独选择或任意组合使用。
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