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结合多种不同的措施来抑制单粒子效应在90nm工艺下引发的电荷收集和电荷共享,张万里,唐明华,本文提出了结合保护环和n埋层的方法来抑制单粒子效应引发的电荷收集和电荷共享。3DTCAD模拟仿真表明,在90nm工艺下PMOS间的电荷收集
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