搀杂工艺

掺杂:将需要的杂质掺入特定的半导体区域中,以达到改变半导体电学性质,形成PN结、电阻、欧姆接触磷(P)、砷(As) — N型硅硼(B) — P型硅掺杂工艺:扩散、离子注入扩 散替位式扩散:杂质离子占据硅原子的位:III、V族元素一般要在很高的温度(950~1280°C)下进行,横向扩散严重。但对设备的要求相对较低。磷、硼、砷等在二氧化硅层中的扩散系数均远小于在硅中的扩散系数,可以利用氧化层作为杂质扩散的掩蔽层间隙式扩散:杂质离子位于晶格间隙:Na、K、Fe、Cu、Au 等元素扩散系数要比替位式扩散大6~7个数量级(绝对不许用手摸硅片—防止Na+沾污。) 例如,在N型衬底上掺