UV EPROM的数据读(Data Read)操作

这是读取ROM内容的操作。一旦CE有效(低电平),则芯片处于使能(选择)状态,通过使OE有效,向外部输出ROM内容的输出缓冲器将处于使能状态。利用17根地址总线(A0~A16),在128KB中指定所希望读出的那个比特位。 如果在这种状态下等待数据的读出,则DQ0~DQ7中将出现数据,外部电路的CPU将提取这些数据进行操作。因为并没有利用PGM及VPP端口,所以无论是高电平还是低电平都无关紧要。关于读操作的细节我们将在后面进行叙述。 欢迎转载,信息来源维库电子市场网(www.dzsc.com) 来源:ks99